中國日報1月18日電（記者 鄭欣）近日，由中核集團中國原子能科學研究院自主研制的我國首臺串列型高能氫離子注入機（POWER-750H）成功出束，核心指標達到國際先進水平。

這標志著我國已全面掌握串列型高能氫離子注入機的全鏈路研發技術，攻克了功率半導體制造鏈關鍵環節，為推動高端制造裝備自主可控、保障產業鏈安全奠定堅實基礎。

離子注入機與光刻機、刻蝕機、薄膜沉積設備并稱為芯片制造“四大核心裝備”，是半導體制造不可或缺的“剛需”設備。此次高能氫離子注入機的成功研制，是核技術與半導體產業深度融合的重要成果，將有力提升我國在功率半導體等關鍵領域的自主保障能力，更為助力“雙碳”目標實現、加快形成新質生產力提供強有力技術支撐。

長期以來，我國高能氫離子注入機完全依賴國外進口，其研發難度大、技術壁壘高，是制約我國戰略性產業升級的瓶頸之一。原子能院依托在核物理加速器領域數十年的深厚積累，以串列加速器技術作為核心手段，破解一系列難題，完全掌握了串列型高能氫離子注入機從底層原理到整機集成的正向設計能力，打破了國外企業在該領域的技術封鎖和長期壟斷。

COMPO

WS696c9d5ca310942cc499bb99

http://www.pvdnnnn.cn/a/202601/18/WS696c9d5ca310942cc499bb99.html